GB-T 7576-1998 半导体器件 分立器件 第7部分 双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范

ICS _31. 080. 30 L 42 中华人民共和国国家标准 GB/T 7576--1998 idt IEC 747-7-4:1991 QC750107 半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管第四篇高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范 Semiconductor devices-Discrete devices Part 7: Bipolar transistors Section Four-Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for high-frequency amplification 1998- 11-17 发布 1999-06-01实施国家质量技术监督局发布 GB/T 75761998 前言本空白规范等同采用1991年发布的IEC747-7-4《高频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范》第一版。由于该规范较原国家标准更能表征该种器件的特性，因此，对原国家标准GB/T7576- 1987做了修订，使之与国际标准一致。本规范与前版的主要差别是增加了含有害物质的说明及发射极-基极反向截止电流；调整了引用总规范及分规范的标准号；删去B9分组高温贮存。除非另有规定，本标准第8章中引用的条号对应于GB/T4589.1一1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》（IEC747-10：1991)的条号，测试方法引自GB/T4587一1994《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》(IEC747-7：1988），试验方法引自GB/T4937一1995《半导体器件机械和气候试验方法》（IEC749：1984）。本规范由中华人民共和国电子工业部提出。本规范由全国半导体器件标准化技术委员会归口。本规范起草单位：电子工业部标准化研究所。本规范主要起草人：蔡仁明。

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