GB-T 44791-2024 集成电路三维封装 带凸点圆片减薄工艺过程和评价要求

ICS31.200 GB CCSL55 中华人民共和国国家标准 GB/T44791—2024 集成电路三维封装带凸点圆片减薄工艺过程和评价要求 Integrated circuit 3D packaging-Requirement for bumping-wafer-thining process and evaluation 2024-10-26发布 2025-05-01实施国家市场监督管理总局发布国家标准化管理委员会 GB/T44791—2024 目次前言范围 1 规范性引用文件 2 术语、定义和缩略语· 3 3.1术语和定义 3.2 缩略语般要求设备、仪器和工装夹具 4.1 材料 4.2 4.3 注意事项 5详细要求 5.1 环境 5.2 典型工艺流程 5.3 工艺准备贴保护膜 5.4 5.5 粗磨 5.6 细磨 5.7 抛光（必要时） 5.8 清洗紫外解胶（必要时） 5.9 5.10 揭膜 5.11 标识、贮存和转运 5.12 包装 5.13 记录评价要求 6 贴膜的评价要求 6.1 6.2 减薄的评价要求 6.3 清洗的评价要求 6.4 解胶及揭膜的评价要求 GB/T44791—2024 前言本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任，本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。本文件由全国集成电路标准化技术委员会（SAC/TC599）归口。本文件起草单位：中国电子科技集团公司第五十八研究所、神州龙芯智能科技有限公司。本文件主要起草人：袁世伟、王波、肖汉武、王燕婷、黄海林、肖隆腾、陈明敏。

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